Assortiment
Mijn Mercateo
Aanmelden/Registreren
Winkelwagen
 
 

VISHAY SQJ200EP-T1_GE3 Drain Source Voltage Vds N Channel 20 V Continuous Drain


Aantal:  stuk  
Productinformatie
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Artikelnr.:
     5695-2778694
Merk:
     Vishay
Fabrikantnr.:
     SQJ200EP-T1_GE3
EAN/GTIN:
     geen gegevens
Zoekwoorden:
Power-transistor
MOSFET
MOSFET-transistor
Drain Source Voltage Vds N Channel 20 V Continuous Drain Current Id P Channel 60 A Product Range TrenchFET Series MSL MSL 1 - Unlimited No. of Pins 8 Pins Drain Source Voltage Vds P Channel 20 V Continuous Drain Current Id N Channel 60 A Drain Source On State Resistance N Channel 0.0031 ohm Channel Type N Channel Drain Source On State Resistance P Channel 0.0031 ohm Power Dissipation N Channel 48 W Power Dissipation P Channel 48 W Operating Temperature Max 175 °C Transistor Case Style PowerPAK SO Qualification AEC-Q101 SVHC No SVHC (10-Jun-2022)
Andere zoekwoorden: Discretes, Dual, FETs, MOSFETs, Semiconductors, VISHAY, SQJ200EP-T1_GE3, 2778694, 277-8694
Overzicht van de condities1
Levertijd
Voorraad
Prijs excl. BTW
op voorraad op voorraad
vanaf € 0,405*
  
Prijs geldt vanaf 2.500.000 stuks
Voorwaarden zelf selecteren
AanbevelenToevoegen aan inkooplijst
Staffelprijzen
Bestelhoeveelheid
excl. BTW
incl. BTW
Eenheid
1 stuk
€ 1,84*
€ 2,2264
per stuk
vanaf 10 stuks
€ 1,422*
€ 1,72062
per stuk
vanaf 50 stuks
€ 1,232*
€ 1,49072
per stuk
vanaf 100 stuks
€ 0,883*
€ 1,06843
per stuk
vanaf 500 stuks
€ 0,676*
€ 0,81796
per stuk
vanaf 1000 stuks
€ 0,51*
€ 0,6171
per stuk
vanaf 5000 stuks
€ 0,485*
€ 0,58685
per stuk
vanaf 2500000 stuks
€ 0,405*
€ 0,49005
per stuk
* Prijzen excl. BTW
Mercateo verkoopt uitsluitend aan zakelijke klanten.