Startpagina > Elektrotechniek > Actieve componenten > Gelijkrichters, transistors, diodes > Transistor > Power-transistor > Artikelnaam

VISHAY SQJ860EP-T1_GE3 Rds(on) Test Voltage 10 V Drain Source On State

Aantal:

stuk

Productinformatie

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikelnr.:
5695-2708311

Merk:
Vishay

Fabrikantnr.:
SQJ860EP-T1_GE3

EAN/GTIN:
geen gegevens

Zoekwoorden:

Power-MOSFET
Power-transistor
MOSFET
MOSFET-transistor

Rds(on) Test Voltage 10 V Drain Source On State Resistance 0.005 ohm Product Range TrenchFET MSL MSL 1 - Unlimited No. of Pins 8 Pins Transistor Mounting Surface Mount Channel Type N Channel Continuous Drain Current Id 60 A Operating Temperature Max 175 °C Transistor Case Style PowerPAK SO Drain Source Voltage Vds 40 V Power Dissipation 48 W Qualification AEC-Q101 Gate Source Threshold Voltage Max 2 V SVHC No SVHC (10-Jun-2022)

... > Semiconductors - Discretes > FETs > Single MOSFETs

Andere zoekwoorden: Discretes, FETs, MOSFETs, Semiconductors, Single, VISHAY, SQJ860EP-T1_GE3, 2708311, 270-8311

Overzicht van de condities¹

Levertijd

Voorraad

Prijs excl. BTW

op voorraad

vanaf € 0,372*

Prijs geldt vanaf 2.500.000 stuks

Voorwaarden zelf selecteren

Aanbevelen

Toevoegen aan inkooplijst

Staffelprijzen

Bestelhoeveelheid	excl. BTW	incl. BTW	Eenheid

1 stuk	€ 1,42*	€ 1,7182	per stuk
vanaf 10 stuks	€ 1,174*	€ 1,42054	per stuk
vanaf 50 stuks	€ 1,064*	€ 1,28744	per stuk
vanaf 100 stuks	€ 0,645*	€ 0,78045	per stuk
vanaf 500 stuks	€ 0,507*	€ 0,61347	per stuk
vanaf 1000 stuks	€ 0,46*	€ 0,5566	per stuk
vanaf 5000 stuks	€ 0,442*	€ 0,53482	per stuk
vanaf 2500000 stuks	€ 0,372*	€ 0,45012	per stuk