Startpagina > Elektrotechniek > Actieve componenten > Gelijkrichters, transistors, diodes > Transistor > Power-transistor > Artikelnaam

VISHAY SISS23DN-T1-GE3 MOSFET, P-CH, -20V, -50A, POWERPAK 1212

Aantal:

stuks

Productinformatie

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikelnr.:
5695-2679714

Merk:
Vishay

Fabrikantnr.:
SISS23DN-T1-GE3

EAN/GTIN:
geen gegevens

Zoekwoorden:

Power-transistor

Rds(on) Test Voltage 4.5 V Drain Source On State Resistance 0.0035 ohm Product Range TrenchFET MSL MSL 1 - Unlimited No. of Pins 8 Pins Transistor Mounting Surface Mount Channel Type P Channel Continuous Drain Current Id 50 A Operating Temperature Max 150 °C Transistor Case Style PowerPAK 1212 Drain Source Voltage Vds 20 V Power Dissipation 57 W Qualification - Gate Source Threshold Voltage Max 900 mV SVHC Lead (10-Jun-2022)

... > Semiconductors - Discretes > FETs > Single MOSFETs

Andere zoekwoorden: Discretes, FETs, MOSFETs, Semiconductors, Single, VISHAY, SISS23DN-T1-GE3, 2679714, 267-9714

Overzicht van de condities¹

Levertijd

Voorraad

Prijs excl. BTW

vanaf € 0,253*

Prijs geldt vanaf 1.500.000 stuks

alleen te bestellen in veelvouden van 3.000 stuks

Voorwaarden zelf selecteren

Aanbevelen

Toevoegen aan inkooplijst

Staffelprijzen

Bestelhoeveelheid	excl. BTW	incl. BTW	Eenheid

vanaf 3000 stuks	€ 0,286*	€ 0,34606	per stuk
vanaf 9000 stuks	€ 0,273*	€ 0,33033	per stuk
vanaf 30000 stuks	€ 0,263*	€ 0,31823	per stuk
vanaf 1500000 stuks	€ 0,253*	€ 0,30613	per stuk

* Prijzen excl. BTW

Mercateo verkoopt uitsluitend aan zakelijke klanten.