Infineon Technologies IRF630N MOSFET 1 N-kanaal 82 W TO-263-3

MOSFET (HEXFET / FETKY) MOSFET-transistoren zijn spanninggestuurde componenten die rechtstreeks op bronnen met een hoge weerstand kunnen worden aangesloten. Zij zijn daardoor uitermate geschikt voor de toepassing als schakelaar of analoge versterker. Deze unipolaire transistoren zijn µC-, TTL- en CMOS-compatibel. Merken: SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS. Technische spec.: Aantal kanalen: 1 · Afbreekspanning U(BR DSS): 200 V · Bedrijfstemperatuur (max.)(num): +175 °C · Bedrijfstemperatuur (min.)(num): -55 °C · Behuizingssoort (halfgeleider): TO-263-3 · C(ISS): 575 pF · C(ISS) referentiespanning: 25 V · Fabrikant: Infineon Technologies · Fabrikantcode (componenten): INF · I(d): 9.3 A · Kenmerken transistor: Standaard · Montagewijze: Oppervlakmontage · Q(G): 35 nC · Q(G) referentiespanning: 10 V · R(DS)(on): 300 mΩ · R(DS)(on) referentiespanning: 10 V · R(DS)(on) referentiestroom: 5.4 A · Serie (halfgeleiders): HEXFET® · Soortnaam: MOSFET · Type (fabrikanttype): IRF630N · U(DSS): 200 V · U(GS)(th) max.: 4 V · U(GS)(th) referentiestroom (max.): 250 µA · Uitvoering (transistor): N-kanaal · Vermogen (max.) P(TOT): 82 W