Infineon Technologies IRF1010NPBF MOSFET 1 N-kanaal 180 W TO-220

MOSFET (HEXFET / FETKEY) MOSFET-transistoren zijn spanninggestuurde componenten die rechtstreeks op bronnen met een hoge weerstand kunnen worden aangesloten. Zij zijn daardoor uitermate geschikt voor de toepassing als schakelaar of analoge versterker. Deze unipolaire transistoren zijn µC-, TTL- en CMOS-compatibel. Merken: SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS. Technische spec.: Aantal kanalen: 1 · Afbreekspanning U(BR DSS): 55 V · Bedrijfstemperatuur (max.)(num): +175 °C · Bedrijfstemperatuur (min.)(num): -55 °C · Behuizingssoort (halfgeleider): TO-220 · C(ISS): 3210 pF · C(ISS) referentiespanning: 25 V · Fabrikant: Infineon Technologies · Fabrikantcode (componenten): INF · I(d): 85 A · Kenmerken transistor: Standaard · Montagewijze: Doorvoergat · Q(G): 120 nC · Q(G) referentiespanning: 10 V · R(DS)(on): 11 mΩ · R(DS)(on) referentiespanning: 10 V · R(DS)(on) referentiestroom: 43 A · Serie (halfgeleiders): HEXFET® · Soortnaam: MOSFET · Type (fabrikanttype): IRF1010NPBF · U(DSS): 55 V · U(GS)(th) max.: 4 V · U(GS)(th) referentiestroom (max.): 250 µA · Uitvoering (transistor): N-kanaal · Vermogen (max.) P(TOT): 180 W