Infineon Technologies BSS83P MOSFET 1 P-kanaal 360 mW TO-236-3

Small sign-transistor P-kanaal uitbreidingstype. Technische spec.: Aantal kanalen: 1 · Afbreekspanning U(BR DSS): 60 V · Bedrijfstemperatuur (max.)(num): +150 °C · Bedrijfstemperatuur (min.)(num): -55 °C · Behuizingssoort (halfgeleider): TO-236-3 · C(ISS): 78 pF · C(ISS) referentiespanning: 25 V · Fabrikant: Infineon Technologies · Fabrikantcode (componenten): INF · I(d): 330 mA · Kenmerken transistor: Logic Level Gat e · Montagewijze: Oppervlakmontage · Q(G): 3.57 C · Q(G) referentiespanning: 10 V · R(DS)(on): 2 Ω · R(DS)(on) referentiespanning: 10 V · R(DS)(on) referentiestroom: 330 mA · Serie (halfgeleiders): SIPMOS® · Soort transistor (LoV): MOSFET · Type (fabrikanttype): BSS83P · U(DSS): 60 V · U(GS)(th) max.: 2 V · U(GS)(th) referentiestroom (max.): 80 µA · Uitvoering (transistor): P-kanaal · Vermogen (max.) P(TOT): 360 mW