Infineon Technologies BSS123NH MOSFET 1 N-kanaal 500 mW TO-236-3

Small sign-transistor* N-kanaal uitbreidingstype. Technische spec.: Aantal kanalen: 1 · Afbreekspanning U(BR DSS): 100 V · Bedrijfstemperatuur (max.)(num): +150 °C · Bedrijfstemperatuur (min.)(num): -55 °C · Behuizingssoort (halfgeleider): TO-236-3 · C(ISS): 20.9 pF · C(ISS) referentiespanning: 25 V · Fabrikant: Infineon Technologies · Fabrikantcode (componenten): INF · I(d): 190 mA · Kenmerken transistor: Logic Level Gat e · Montagewijze: Oppervlakmontage · Q(G): 0.9 C · Q(G) referentiespanning: 10 V · R(DS)(on): 6 Ω · R(DS)(on) referentiespanning: 10 V · R(DS)(on) referentiestroom: 190 mA · Serie (halfgeleiders): OptiMOSü™ · Soort transistor (LoV): MOSFET · Type (fabrikanttype): BSS123NH · U(DSS): 100 V · U(GS)(th) max.: 1.8 V · U(GS)(th) referentiestroom (max.): 13 µA · Uitvoering (transistor): N-kanaal · Vermogen (max.) P(TOT): 500 mW