Assortiment
Mijn Mercateo
Aanmelden/Registreren
Winkelwagen
 
 

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolair; 20V; 35A; Idm: 60A; 36W


Aantal:  stuk  
Productinformatie
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Artikelnr.:
     4817-SIR410DP-T1-GE3
Merk:
     Vishay
Fabrikantnr.:
     SIR410DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     geen gegevens
Zoekwoorden:
Power-MOSFET
MOSFET
MOSFET-transistor
SMD-transistor
Producent: VISHAY
Montage: SMD
Behuizing: PowerPAK® SO8
Spanning dren-bron: 20V
Drainstroom: 35A
Weerstand in geleidingstoestand: 6,3mΩ
Type transistor: N-MOSFET
Vermogensdissipatie: 36W
Polarisatie: unipolair
Soort verpakking: band;rol
Lading op de poort: 41nC
Technologie: TrenchFET®
Soort kanaal: verrijkt
Gate-source spanning: ±20V
Gepulseerde drainstroom: 60A
Magazijnen (2)
Voorraad
Min. hoeveelheid
Verzendkosten
Staffelprijs
Eenheidsprijs
^
Magazijn 4817
3000
€ 7,90*
vanaf € 0,60*
€ 0,69*
3 werkdagen
2270
1
€ 14,99*
vanaf € 0,415*
€ 1,42*
Prijzen: Magazijn 4817
Bestelhoeveelheid
excl. BTW
incl. BTW
Eenheid
vanaf 3000 stuks
€ 0,69*
€ 0,83
per stuk
vanaf 2500000 stuks
€ 0,60*
€ 0,73
per stuk
alleen te bestellen in veelvouden van 3.000 stuks
minimale bestelhoeveelheid: 3000 stuks ( € 2.070,00* excl. BTW )
Voorraad: Magazijn 4817
Verzendkosten: Magazijn 4817
Bekijk voorraad details hier.
Bestelwaarde
Verzendkosten
vanaf € 0,00*
€ 7,90*
Retourvoorwaarden: Magazijn 4817
Dit artikel kan niet worden geannuleerd, omgeruild noch worden teruggegeven.
Conform de algemene voorwaarden en onafhankelijk van de retourvoorwaarden blijft de garantieperiode bestaan.
* Prijzen excl. BTW
Mercateo verkoopt uitsluitend aan zakelijke klanten.