Assortiment
Kantoorartikelen
IT-producten
Gereedschappen
Elektrotechniek
Bedrijfsinrichting
Arbeidsveiligheid
Industriële benodigdheden
Medisch & Laboratorium
Gebouwentechniek
Verzending & Verpakking
Horeca
Reiniging
Meer categorieën
Nederland
Nederlands
Deutschland
Deutsch
English
Österreich
Deutsch
English
Nederland
Nederlands
English
Italia
Italiano
English
France
Français
English
España
Español
English
United Kingdom
English
Ireland
English
Polska
Polski
English
Magyarország
Magyar
English
Schweiz
Deutsch
Français
Italiano
English
België
Nederlands
Français
Deutsch
English
Mijn Mercateo
Aanmelden/Registreren
Inloggen
Nieuw bij Mercateo?
Nu registreren
>
Mijn profiel
Bestelarchief
Inkooplijsten
Bestelaanvragen
Winkelwagen
Startpagina
>
Elektrotechniek
>
Actieve componenten
>
Gelijkrichters, transistors, diodes
>
Transistor
>
Power-transistor
>
Artikelnaam
N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V, 3-Pin D2PAK onsemi FCB11N60TM
Aantal:
verpakking
Productinformatie
Venster sluiten
Artikelnr.:
2949E-8644923
Merk:
onsemi
Fabrikantnr.:
FCB11N60TM
EAN/GTIN:
5059042235548
Zoekwoorden:
Power-transistor
MOSFET
MOSFET-transistor
mosfet 30v
SuperFET® and SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor. Fairchild added the SuperFET® II high-voltage power MOSFET family using the Super Junction Technology. It provides best-in-class robust body diode performance in AC-DC Switch Mode Power Supplies (SMPS) applications such as servers, telecom, computing, industrial power supply, UPS/ESS, solar inverter, lighting applications, which require high power density, system efficiency and reliability. Utilizing an advanced charge balance technology, designers achieve more efficient, cost-effective and high performance solutions that take up less board space and improve reliability.
Meer informatie:
Channel Type:
N
Maximum Continuous Drain Current:
11 A
Maximum Drain Source Voltage:
600 V
Package Type:
D2PAK (TO-263)
Series:
SuperFET
Mounting Type:
Surface Mount
Pin Count:
3
Maximum Drain Source Resistance:
380 mΩ
Channel Mode:
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage:
3V
Maximum Power Dissipation:
125 W
Transistor Configuration:
Single
Maximum Gate Source Voltage:
-30 V, +30 V
Length:
10.67mm
Maximum Operating Temperature:
+150 °C
... >
Semiconductors
>
Discrete Semiconductors
>
MOSFETs
Andere zoekwoorden:
mosfet 600v
,
8644923
,
Semiconductors
,
Discrete Semiconductors
,
MOSFETs
,
onsemi
,
FCB11N60TM
Overzicht van de condities
1
Levertijd
Voorraad
Prijs excl. BTW
vanaf € 1.140,944*
Prijs geldt vanaf 500 verpakkingen
1 verpakking omvat 800 stuks (vanaf € 1,42618* per stuk)
Voorwaarden zelf selecteren
Aanbevelen
Toevoegen aan inkooplijst
Staffelprijzen
Bestelhoeveelheid
excl. BTW
incl. BTW
Eenheid
1 verpakking
€ 1.283,472*
€ 1.553,00112
per verpakking
vanaf 2 verpakkingen
€ 1.265,744*
€ 1.531,55024
per verpakking
vanaf 5 verpakkingen
€ 1.203,824*
€ 1.456,62704
per verpakking
vanaf 10 verpakkingen
€ 1.155,88*
€ 1.398,6148
per verpakking
vanaf 500 verpakkingen
€ 1.140,944*
€ 1.380,54224
per verpakking
Accessoires
Wij hebben volgende accessoires:
Soort
Afbeelding
Artikelnaam
Fabrikant/nr.
Prijs excl. BTW
Accessoires
EPCOS B828 Series Current Transformer, 20A Input, 20:1
Epcos
B82801B0205A100
vanaf € 4,05801*
* Prijzen excl. BTW
Mercateo verkoopt uitsluitend aan zakelijke klanten.
Over ons
Ondersteuning
Pers
Carrière
Algemene Voorwaarden
Impressum
Privacy
Duurzaamheid
Privacy-instellingen