Assortiment
Kantoorartikelen
IT-producten
Gereedschappen
Elektrotechniek
Bedrijfsinrichting
Arbeidsveiligheid
Industriële benodigdheden
Medisch & Laboratorium
Gebouwentechniek
Verzending & Verpakking
Horeca
Reiniging
Meer categorieën
Nederland
Nederlands
Deutschland
Deutsch
English
Österreich
Deutsch
English
Nederland
Nederlands
English
Italia
Italiano
English
France
Français
English
España
Español
English
United Kingdom
English
Ireland
English
Polska
Polski
English
Magyarország
Magyar
English
Schweiz
Deutsch
Français
Italiano
English
België
Nederlands
Français
Deutsch
English
Mijn Mercateo
Aanmelden/Registreren
Inloggen
Nieuw bij Mercateo?
Nu registreren
>
Mijn profiel
Bestelarchief
Inkooplijsten
Bestelaanvragen
Winkelwagen
Startpagina
>
Elektrotechniek
>
Actieve componenten
>
Gelijkrichters, transistors, diodes
>
Transistor
>
Power-transistor
>
Artikelnaam
N-Channel MOSFET, 1.6 A, 1000 V, 3-Pin DPAK onsemi FQD2N100TM
Aantal:
stuks
Productinformatie
Venster sluiten
Artikelnr.:
2949E-6710999
Merk:
onsemi
Fabrikantnr.:
FQD2N100TM
EAN/GTIN:
5059042842760
Zoekwoorden:
Power-transistor
MOSFET
MOSFET-transistor
mosfet 30v
QFET® N-Channel MOSFET, up to 5.9A, Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor ‘s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control. They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.
Meer informatie:
Channel Type:
N
Maximum Continuous Drain Current:
1.6 A
Maximum Drain Source Voltage:
1000 V
Package Type:
DPAK (TO-252)
Series:
QFET
Mounting Type:
Surface Mount
Pin Count:
3
Maximum Drain Source Resistance:
9 Ω
Channel Mode:
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage:
3V
Maximum Power Dissipation:
2.5 W
Transistor Configuration:
Single
Maximum Gate Source Voltage:
-30 V, +30 V
Length:
6.6mm
Maximum Operating Temperature:
+150 °C
... >
Semiconductors
>
Discrete Semiconductors
>
MOSFETs
Andere zoekwoorden:
6710999
,
Semiconductors
,
Discrete Semiconductors
,
MOSFETs
,
onsemi
,
FQD2N100TM
Overzicht van de condities
1
Levertijd
Voorraad
Prijs excl. BTW
vanaf € 0,298*
Prijs geldt vanaf 75.000 stuks
alleen te bestellen in veelvouden van 5 stuks
Voorwaarden zelf selecteren
Aanbevelen
Toevoegen aan inkooplijst
Staffelprijzen
Bestelhoeveelheid
excl. BTW
incl. BTW
Eenheid
vanaf 5 stuks
€ 0,458*
€ 0,554
per stuk
vanaf 50 stuks
€ 0,438*
€ 0,53
per stuk
vanaf 250 stuks
€ 0,398*
€ 0,482
per stuk
vanaf 500 stuks
€ 0,388*
€ 0,469
per stuk
vanaf 75000 stuks
€ 0,298*
€ 0,361
per stuk
Accessoires
Wij hebben volgende accessoires:
Soort
Afbeelding
Artikelnaam
Fabrikant/nr.
Prijs excl. BTW
Accessoires
Heatsink, 25K/W, 23 x 13 x 10mm, Solder
Fischer Elektronik
FK 244 13 D PAK
vanaf € 0,74*
* Prijzen excl. BTW
Mercateo verkoopt uitsluitend aan zakelijke klanten.
Over ons
Ondersteuning
Pers
Carrière
Algemene Voorwaarden
Impressum
Privacy
Duurzaamheid
Privacy-instellingen