Assortiment
Mijn Mercateo
Aanmelden/Registreren
Winkelwagen
 
 

Dual Silicon N-Channel MOSFET, 35 A, 600 V, 3-Pin D2PAK Vishay SIHB080N60E-GE3


Aantal:  verpakkingen  
Productinformatie
Product Image
Product Image
Artikelnr.:
     2949E-2688289
Merk:
     Vishay
Fabrikantnr.:
     SIHB080N60E-GE3
EAN/GTIN:
     geen gegevens
Zoekwoorden:
MOSFET
MOSFET-transistor
mosfet 600v
Channel Type = N
Maximum Continuous Drain Current = 35 A
Maximum Drain Source Voltage = 600 V
Package Type = TO-263
Mounting Type = Surface Mount
Pin Count = 3
Channel Mode = Enhancement
Number of Elements per Chip = 2
Meer informatie:
Channel Type:
N
Maximum Continuous Drain Current:
35 A
Maximum Drain Source Voltage:
600 V
Package Type:
TO-263
Mounting Type:
Surface Mount
Pin Count:
3
Channel Mode:
Enhancement
Number of Elements per Chip:
2
Transistor Material:
Silicon
Andere zoekwoorden: 2688289, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs, Vishay, SIHB080N60EGE3
Overzicht van de condities1
Levertijd
Voorraad
Prijs excl. BTW
vanaf € 4,918*
  
Prijs geldt vanaf 12.500 verpakkingen
1 verpakking omvat 2 stuks (vanaf € 2,459* per stuk)
alleen te bestellen in veelvouden van 25 verpakkingen
Voorwaarden zelf selecteren
AanbevelenToevoegen aan inkooplijst
Staffelprijzen
Bestelhoeveelheid
excl. BTW
incl. BTW
Eenheid
vanaf 25 verpakkingen
€ 10,416*
€ 12,60336
per verpakking
vanaf 50 verpakkingen
€ 8,134*
€ 9,84214
per verpakking
vanaf 125 verpakkingen
€ 7,884*
€ 9,53964
per verpakking
vanaf 250 verpakkingen
€ 6,50*
€ 7,865
per verpakking
vanaf 500 verpakkingen
€ 5,468*
€ 6,61628
per verpakking
vanaf 12500 verpakkingen
€ 4,918*
€ 5,95078
per verpakking
* Prijzen excl. BTW
Mercateo verkoopt uitsluitend aan zakelijke klanten.