Assortiment
Mijn Mercateo
Aanmelden/Registreren
Winkelwagen
 
 

Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1


Aantal:  stuk  
Productinformatie
Product Image
Product Image
Artikelnr.:
     2949E-2625858
Merk:
     Infineon
Fabrikantnr.:
     IPB029N06NF2SATMA1
EAN/GTIN:
     geen gegevens
Zoekwoorden:
Power-transistor
MOSFET
MOSFET-transistor
Channel Type = N
Maximum Continuous Drain Current = 120 A
Maximum Drain Source Voltage = 60 V
Package Type = PG-TO263-3
Mounting Type = Surface Mount
Pin Count = 3
Channel Mode = Enhancement
Number of Elements per Chip = 2
Meer informatie:
Channel Type:
N
Maximum Continuous Drain Current:
120 A
Maximum Drain Source Voltage:
60 V
Package Type:
PG-TO263-3
Mounting Type:
Surface Mount
Pin Count:
3
Channel Mode:
Enhancement
Number of Elements per Chip:
2
Transistor Material:
SiC
Andere zoekwoorden: 2625858, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs, Infineon, IPB029N06NF2SATMA1
Magazijnen (2)
Voorraad
Min. hoeveelheid
Verzendkosten
Staffelprijs
Eenheidsprijs
^
Magazijn 2949
800
Franco huis
vanaf € 0,709*
€ 0,956*
3 werkdagen
1095
1
€ 14,99*
vanaf € 0,763*
€ 2,85*
Prijzen: Magazijn 2949
Bestelhoeveelheid
excl. BTW
incl. BTW
Eenheid
vanaf 800 stuks
€ 0,956*
€ 1,157
per stuk
vanaf 1600 stuks
€ 0,909*
€ 1,10
per stuk
vanaf 30000 stuks
€ 0,709*
€ 0,858
per stuk
alleen te bestellen in veelvouden van 800 stuks
minimale bestelhoeveelheid: 800 stuks ( € 764,80* excl. BTW )
Voorraad: Magazijn 2949
Verzendkosten: Magazijn 2949
Bekijk voorraad details hier.
Bestelwaarde
Verzendkosten
vanaf € 0,00*
Franco huis
Retourvoorwaarden: Magazijn 2949
Periode:Binnen 30 dagen
Toestand verpakking:Originele verpakking onbeschadigd, geopend
Toestand goederen:Ongebruikt
Verzendkosten:Gratis
Administratiekosten:Worden individueel vastgesteld
Conform de algemene voorwaarden en onafhankelijk van de retourvoorwaarden blijft de garantieperiode bestaan.
* Prijzen excl. BTW
Mercateo verkoopt uitsluitend aan zakelijke klanten.