Assortiment
Mijn Mercateo
Aanmelden/Registreren
Winkelwagen
 
 

Dual SiC N-Channel MOSFET, 190 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB013N06NF2SATMA1


Aantal:  verpakking  
Productinformatie
Product Image
Product Image
Artikelnr.:
     2949E-2625846
Merk:
     Infineon
Fabrikantnr.:
     IPB013N06NF2SATMA1
EAN/GTIN:
     geen gegevens
Zoekwoorden:
Power-transistor
MOSFET
MOSFET-transistor
Channel Type = N
Maximum Continuous Drain Current = 190 A
Maximum Drain Source Voltage = 60 V
Package Type = PG-TO263-3
Mounting Type = Surface Mount
Pin Count = 3
Channel Mode = Enhancement
Number of Elements per Chip = 2
Meer informatie:
Channel Type:
N
Maximum Continuous Drain Current:
190 A
Maximum Drain Source Voltage:
60 V
Package Type:
PG-TO263-3
Mounting Type:
Surface Mount
Pin Count:
3
Channel Mode:
Enhancement
Number of Elements per Chip:
2
Transistor Material:
SiC
Andere zoekwoorden: 2625846, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs, Infineon, IPB013N06NF2SATMA1
Overzicht van de condities1
Levertijd
Voorraad
Prijs excl. BTW
vanaf € 1.329,40*
  
Prijs geldt vanaf 500 verpakkingen
1 verpakking omvat 800 stuks (vanaf € 1,66175* per stuk)
Voorwaarden zelf selecteren
AanbevelenToevoegen aan inkooplijst
Staffelprijzen
Bestelhoeveelheid
excl. BTW
incl. BTW
Eenheid
1 verpakking
€ 1.398,296*
€ 1.691,93816
per verpakking
vanaf 2 verpakkingen
€ 1.390,264*
€ 1.682,21944
per verpakking
vanaf 5 verpakkingen
€ 1.360,656*
€ 1.646,39376
per verpakking
vanaf 10 verpakkingen
€ 1.341,656*
€ 1.623,40376
per verpakking
vanaf 500 verpakkingen
€ 1.329,40*
€ 1.608,574
per verpakking
* Prijzen excl. BTW
Mercateo verkoopt uitsluitend aan zakelijke klanten.