Assortiment
Mijn Mercateo
Aanmelden/Registreren
Winkelwagen
 
 

N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH Vishay SiSH892BDN-T1-GE3


Aantal:  stuks  
Productinformatie
Product Image
Product Image
Artikelnr.:
     2949E-2282931
Merk:
     Vishay
Fabrikantnr.:
     SiSH892BDN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     geen gegevens
Zoekwoorden:
2282931
Semiconductors
Discrete Semiconductors
MOSFETs
Channel Type = N
Maximum Continuous Drain Current = 20 A
Maximum Drain Source Voltage = 100 V
Series = TrenchFET
Mounting Type = Surface Mount
Pin Count = 8
Maximum Drain Source Resistance = 0.0304 Ω
Channel Mode = Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage = 2.4V
Number of Elements per Chip = 1
Meer informatie:
Channel Type:
N
Maximum Continuous Drain Current:
20 A
Maximum Drain Source Voltage:
100 V
Package Type:
PowerPAK 1212-8SH
Series:
TrenchFET
Mounting Type:
Surface Mount
Pin Count:
8
Maximum Drain Source Resistance:
0.0304 Ω
Channel Mode:
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage:
2.4V
Number of Elements per Chip:
1
Transistor Material:
Si
Andere zoekwoorden: Vishay, SiSH892BDNT1GE3
Overzicht van de condities1
Levertijd
Voorraad
Prijs excl. BTW
vanaf € 0,351*
  
Prijs geldt vanaf 75.000 stuks
alleen te bestellen in veelvouden van 10 stuks
Voorwaarden zelf selecteren
AanbevelenToevoegen aan inkooplijst
Staffelprijzen
Bestelhoeveelheid
excl. BTW
incl. BTW
Eenheid
vanaf 10 stuks
€ 0,955*
€ 1,156
per stuk
vanaf 50 stuks
€ 0,915*
€ 1,107
per stuk
vanaf 100 stuks
€ 0,822*
€ 0,995
per stuk
vanaf 200 stuks
€ 0,792*
€ 0,958
per stuk
vanaf 250 stuks
€ 0,623*
€ 0,754
per stuk
vanaf 500 stuks
€ 0,562*
€ 0,68
per stuk
vanaf 1000 stuks
€ 0,421*
€ 0,509
per stuk
vanaf 75000 stuks
€ 0,351*
€ 0,425
per stuk
* Prijzen excl. BTW
Mercateo verkoopt uitsluitend aan zakelijke klanten.