Assortiment
Mijn Mercateo
Aanmelden/Registreren
Winkelwagen
 
 

onsemi NXH35C120L2C2ESG 3 Phase IGBT Module, 35 A 650 V DIP26, Through Hole


Aantal:  stuk  
Productinformatie
Product Image
Product Image
Artikelnr.:
     2949E-2025680
Merk:
     onsemi
Fabrikantnr.:
     NXH35C120L2C2ESG
EAN/GTIN:
     geen gegevens
Zoekwoorden:
Remgelijkrichter
Remgelijkrichters
IGBT-module
IGBT-modules
The ON Semiconductor transfer molded power module with low thermal resistance substrate containing a converter-inverter-brake circuit consisting of six 35 Ampere and 1600 Volts rectifiers, six 35 Ampere and 1200 Volts IGBTs with inverse diodes, one 35 Ampere and 1200 Volts brake IGBT with brake diode and an NTC thermistor.Low thermal resistance 6mm clearance distance between pin to heatsink Solderable pins Thermistor Pb free Halogen free or BFR free RoHS compliant
Meer informatie:
Maximum Continuous Collector Current:
35 A
Maximum Collector Emitter Voltage:
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage:
±20.0V
Number of Transistors:
6
Configuration:
3 Phase
Package Type:
DIP26
Mounting Type:
Through Hole
Channel Type:
N
Andere zoekwoorden: Schakeltransistor, Schakeltransistors, Transistor, Transistors, 2025680, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs, onsemi, NXH35C120L2C2ESG
Overzicht van de condities1
Levertijd
Voorraad
Prijs excl. BTW
vanaf € 64,945*
  
Prijs geldt vanaf 500 stuks
Voorwaarden zelf selecteren
AanbevelenToevoegen aan inkooplijst
Staffelprijzen
Bestelhoeveelheid
excl. BTW
incl. BTW
Eenheid
1 stuk
€ 94,458*
€ 114,294
per stuk
vanaf 2 stuks
€ 87,901*
€ 106,36
per stuk
vanaf 5 stuks
€ 81,945*
€ 99,153
per stuk
vanaf 10 stuks
€ 77,535*
€ 93,817
per stuk
vanaf 500 stuks
€ 64,945*
€ 78,583
per stuk
* Prijzen excl. BTW
Mercateo verkoopt uitsluitend aan zakelijke klanten.