N-Channel MOSFET, 115 A, 200 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN140N20P

Aantal:

stuk

Productinformatie

Artikelnr.:
2949E-193616

Merk:
IXYS

Fabrikantnr.:
IXFN140N20P

EAN/GTIN:
5059045925392

Zoekwoorden:

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series. N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

Meer informatie:


Channel Type:	N
Maximum Continuous Drain Current:	115 A
Maximum Drain Source Voltage:	200 V
Package Type:	SOT-227
Series:	HiperFET, Polar
Mounting Type:	Screw Mount
Pin Count:	4
Maximum Drain Source Resistance:	18 mΩ
Channel Mode:	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage:	5V
Maximum Power Dissipation:	680 W
Transistor Configuration:	Single
Maximum Gate Source Voltage:	-20 V, +20 V
Length:	38.23mm
Maximum Operating Temperature:	+175 °C

Andere zoekwoorden: 193616, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs, IXYS, IXFN140N20P

Magazijnen (3)

Voorraad

Verzendkosten

Staffelprijs

Eenheidsprijs

3 werkdagen

291

€ 14,99*

vanaf € 18,97*

€ 33,57*

Magazijn 2949

Franco huis

vanaf € 22,11*

€ 35,92*

1 werkdag

€ 5,95*

vanaf € 29,19*

€ 42,32*

Prijzen: Magazijn 2949

Voorraad: Magazijn 2949

Verzendkosten: Magazijn 2949

Bekijk voorraad details hier.

Bestelwaarde	Verzendkosten
vanaf € 0,00*	Franco huis

Retourvoorwaarden: Magazijn 2949

Periode:	Binnen 30 dagen
Toestand verpakking:	Originele verpakking onbeschadigd, geopend
Toestand goederen:	Ongebruikt
Verzendkosten:	Gratis
Administratiekosten:	Worden individueel vastgesteld
Conform de algemene voorwaarden en onafhankelijk van de retourvoorwaarden blijft de garantieperiode bestaan.