Krachtige Schottky-diode met maximale doorlaatstroom van 200 A (vierkant, inschakelduur 0,5). Bijzonder geschikt als vrijloopdiode voor Power MOSFET-vermogensmodule.
Deze diodes hebben i.p.v. een PN-overgang een metaal-halfgeleiderovergang met daartussen de Schottky-isolatielaag. Deze blokkeert bij omkering van de polariteit binnen ±100 ps, is ruisarm en naar g...
Deze diodes hebben i.p.v. een PN-overgang een metaal-halfgeleiderovergang met daartussen de Schottky-isolatielaag. Deze blokkeert bij omkering van de polariteit binnen ±100 ps, is ruisarm en naar g...